EPC2015详细
TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
EPC2015参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:eGaN®,FET 类型:GaNFET N 通道，氮化镓,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):40V,电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）:33A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）:4 毫欧 @ 33A，5V,不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 9mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10.5nC @ 5V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 20V,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:模具剖面（11 焊条）,供应商器件封装:模具剖面（11 焊条）
